Memorias magnéticas más seguras y fuertes, que no se borran al acercarles un imán o al ser sometidas a campos magnéticos externos. Es la creación de investigadores del Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona (Icmab-CSIC), en colaboración con laboratorios de EEUU y de la República Checa.

Los científicos han avanzado por primera vez en el uso de nuevos materiales para evitar perder la información almacenada en las tarjetas de memoria cuando se les acecan campos magnéticos externos.

Ello es debido a los materiales ferromagnéticos que forman la memoria de la mayoría de ordenadores, cámaras fotográficas, tarjetas de crédito o tarjetas de transporte. La información se almacena en estos dispositivos en forma de "ceros" y "unos" definidos por la orientación del momento magnético característica de esos materiales ferromagnéticos.

Por ello, el Icmab, junto con los laboratorios de EEUU y República Checa, han orientado su investigación en línea para buscar materiales alternativos. Y han encontrado esta alternativa en los materiales antiferromagnéticos. Estos están constituidos por muchos momentos magnéticos que apuntan alternativamente en direcciones opuestas, y que no pueden ser perturbados por imanes convencionales.

El logro de los científicos está en hallar unos materiales que pasan de antiferromagnéticos a ferromagnéticos con un ligero cambio de temperatura fácilmente alcanzable y controlable. La información se escribe en la fase ferromagnética, seleccionando una dirección de la magnetización mediante la aplicación de un campo magnético.

Tras este paso, los materiales se enfrían y pasan a la fase antiferromagnéticos, en la que la orientación de los momentos magnéticos y, con ellos, la información queda fijada.

"Se ha demostrado que estos materiales son insensibles a campos magnéticos externos y podrían constituir memorias muy robustas", afirma el Icmab. El organismo expone que por la misma razón que no se pueden modificar fácilmente con campos magnéticos, tampoco se puede escribir información en ellos.